Мощный МОП-транзистор IRF5305S

Технические параметры

Максимальная рабочая температура                                  +175 °C 
Максимальный непрерывный ток стока                             31 A 
Тип корпуса                                                                                 D2PAK (TO-263) 
Максимальное рассеяние мощности                                   3,8 Вт 
Тип монтажа                                                                                Поверхностный монтаж 
Ширина                                                                                         9.65мм 
Высота                                                                                           4.83мм 
Размеры                                                                                        10.67 x 9.65 x 4.83мм 
Материал транзистора                                                              SI 
Количество элементов на ИС                                                  1 
Длина 10.67мм Transistor Configuration                                Одинарный 
Типичное время задержки включения                                14 ns 
Производитель                                                                            Infineon 
Типичное время задержки выключения                              39 нс 
Серия                                                                                              HEXFET 
Минимальная рабочая температура                                     -55 °C 
Maximum Gate Threshold Voltage                                             4V 
Minimum Gate Threshold Voltage                                              2V 
Максимальное сопротивление сток-исток                           60 МОм 
Максимальное напряжение сток-исток                                 55 В 
Число контактов                                                                           3 
Категория                                                                                       Мощный 
                                                                                                          МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs                                           63 nC @ 10 V 
Номер канала                                                                               Поднятие 
Типичная входная емкость при Vds                                      1200 pF@ 25 V 
Тип канала                                                                                     P 
Максимальное напряжение затвор-исток                          -20 В, +20 В